Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL032P0XNFI000 MSL S25FL032P0XNFI000 Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7S1061GE30-10ZXIT MSL CY7S1061GE30-10ZXIT Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C01BY6-YH-T MSL AT24C01BY6-YH-T Storage 8-Mini Map(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 8MINI MAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14B104NA-ZS25XET MSL CY14B104NA-ZS25XET Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT62F512M32D2DS-031 WT:B MSL MT62F512M32D2DS-031 WT:B Storage 200-WFBGA(10x14.5) 盒 IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL S29GL032N90TFA043 MSL S29GL032N90TFA043 Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V124SA10YI MSL IDT71V124SA10YI Storage 32-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F128G08AKCABH2-10:A TR MSL MT29F128G08AKCABH2-10:A TR Storage 100-TBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M3016316035NX0IBCR MSL M3016316035NX0IBCR Storage 484-CABGA(23x23) 卷帶(TR) IC RAM 16MBIT PAR 484CABGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS61QDB21M36-250M3 MSL IS61QDB21M36-250M3 Storage 165-LFBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QUAD|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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