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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT27BV040-12TC |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL SST39LF512-45-4C-NHE |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W25Q80EWSNIG TR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S32160F-6TLI |
Storage |
86-TSOP II |
管件 |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS7C34096A-20JIN |
Storage |
36-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT24C64HU4I-GT3 |
Storage |
8-UDFN-EP(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V3578YS133PFG |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GD25LQ40ESIGR |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,2.4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25Q80CTIGR |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62148ESL-55ZAXI |
Storage |
32-sTSOP |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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