Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MX30LF2G28AD-XKI MSL MX30LF2G28AD-XKI Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E512M64D2NW-046 WT:B MSL MT53E512M64D2NW-046 WT:B Storage 432-VFBGA(15x15) 託盤 IC DRAM 32GBIT 432VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT24C01A-10SI-2.5 MSL AT24C01A-10SI-2.5 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SM671PXC-BFSS MSL SM671PXC-BFSS Storage 153-BGA(11.5x13) 散裝 IC FLASH 160GBIT UFS3.1 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:160Gb|記憶體組織:20G x 8|記憶體介面:UFS3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL CY7C1380D-167BZC MSL CY7C1380D-167BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL SM662GXC-BESS MSL SM662GXC-BESS Storage 100-BGA(14x18) 託盤 IC FLASH 160GBIT EMMC 100BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:160Gb|記憶體組織:20G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL BR24C02-10TU-2.7 MSL BR24C02-10TU-2.7 Storage 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA01-I/ST MSL 24AA01-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3500 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24C01CT-I/ST MSL 24C01CT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 11AA010T-I/MNY MSL 11AA010T-I/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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