Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL RC28F160C3TD70A MSL RC28F160C3TD70A Storage 64-EasyBGA(10x13) 託盤 IC FLASH 16MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M95020-MN6 MSL M95020-MN6 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16100F-6BL MSL IS42S16100F-6BL Storage 60-TFBGA(6.4x10.1) 託盤 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42VM16320D-79BLI MSL IS42VM16320D-79BLI Storage 54-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST27SF020-70-3C-PHE MSL SST27SF020-70-3C-PHE Storage 32-DIP 管件 FLASH 2MB 256Kx8 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL SST25VF032B-80-4I-QAE MSL SST25VF032B-80-4I-QAE Storage 8-WSON 管件 IC FLASH 32MBIT SPI 80MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CG8782ATT MSL CG8782ATT Storage - 散裝 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 32EM16-M4JTQ0A-01011 MSL 32EM16-M4JTQ0A-01011 Storage 254-FBGA(11.5x13x1.0) 託盤 IC FLASH RAM 256GBIT MMC 254FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:256Gb(NAND),16Gb(LPDDR4 DRAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR4X|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 70V05L20PFI8 MSL 70V05L20PFI8 Storage 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46V16M16BG-5B:F TR MSL MT46V16M16BG-5B:F TR Storage 60-FBGA(8x14) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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