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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR |
Storage |
169-TFBGA(14x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256GBIT MMC 169TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C09279V-7AXC |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71V424S12PHI8 |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F1536M64D8EK-023 WT:C |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
託盤 |
IC DRAM 96GBIT PAR 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:96Gb|記憶體組織:1.5G x 64|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT49H32M18CBM-18:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 70T651S10BFI |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q512NWFIM |
Storage |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SM671PXELBFSS |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
散裝 |
IC FLASH 640GBIT UFS3.1 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:640Gb|記憶體組織:80G x 8|記憶體介面:UFS3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CY7C09289V-9AC |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
袋 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:67 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V67903S85PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:87 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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