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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 70V24S20PF |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7130SA55TFI8/2703 |
Storage |
64-TQFP(10x10) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V27L20PFI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46V16M16TG-79:F TR |
Storage |
66-TSOP |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SST26VF064BAT-104I/MF |
Storage |
8-WDFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41J64M16JT-15E IT:G TR |
Storage |
96-FBGA(8x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY7C2170KV18-400BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F128G08AKAAAC5:A |
Storage |
52-VLGA(18x14) |
散裝 |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL 52VLGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W631GG8MB-12 TR |
Storage |
78-VFBGA(10.5x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT46V128M4P-5B:J |
Storage |
66-TSOP |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:128M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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