| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL BR24G256F-3GTE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CY7C2270KV18-550BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL CY7C1354C-166BGCT |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL GS8161Z36DGD-333I |
Storage |
165-FPBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL S70KS1282GABHB033 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL SM662GXF BFSS |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 960GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:960Gb|記憶體組織:160G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
|
 |
MSL IS42S16100H-6TL-TR |
Storage |
50-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 71V2556S133PFG8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 93LC56CT-E/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL 23AA04M-I/P |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC SRAM 4MBIT SPI/QUAD 8DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|