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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT62F1536M32D4DS-023 AIT:B TR MSL MT62F1536M32D4DS-023 AIT:B TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 48GBIT LVSTL 200WBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:1.5G x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IDT71V25761SA183BG8 MSL IDT71V25761SA183BG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M25P80-VMN6PBA MSL M25P80-VMN6PBA Storage 8-SO 管件 IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62C1024AL-35TI-TR MSL IS62C1024AL-35TI-TR Storage 32-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V321S25PF8 MSL 71V321S25PF8 Storage 64-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL R1LV3216RSA-7SI#B0 MSL R1LV3216RSA-7SI#B0 Storage 48-TSOP I 託盤 IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V3589S166BC8 MSL 70V3589S166BC8 Storage 256-CABGA(17x17) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR MSL MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR Storage 132-VBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:768Gb|記憶體組織:96G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EMD3D256M08G1-150CBS1R MSL EMD3D256M08G1-150CBS1R Storage 78-BGA(10x13) 卷帶(TR) IC RAM 256MBIT PAR 78BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:14 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL EDY4016AABG-JD-F-D MSL EDY4016AABG-JD-F-D Storage 96-FBGA(7.5x13.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

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