Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT27C010L-12JC MSL AT27C010L-12JC Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT25DF161-SH-B MSL AT25DF161-SH-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 16MBIT SPI 100MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT40A256M16LY-079:F MSL MT40A256M16LY-079:F Storage 96-FBGA(7.5x13.5) IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1302DV25-167BZXC MSL CY7C1302DV25-167BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 70825S25PFGI MSL 70825S25PFGI Storage 80-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 128KBIT PAR 80TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33.3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25LP128-JGLE-TR MSL IS25LP128-JGLE-TR Storage 24-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AS6C4016A-55ZIN MSL AS6C4016A-55ZIN Storage 44-TSOP II 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT25QL256ABA8E12-1SAT MSL MT25QL256ABA8E12-1SAT Storage 24-T-PBGA(6x8) 散裝 IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT53B256M32D1DS-062 AIT:C MSL MT53B256M32D1DS-062 AIT:C Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL M58LW064D110N6 MSL M58LW064D110N6 Storage 56-TSOP 管件 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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