Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS62LV256AL-45TLI-TR MSL IS62LV256AL-45TLI-TR Storage 28-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA024T-I/MNY MSL 24AA024T-I/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M29W400DB55ZE6F TR MSL M29W400DB55ZE6F TR Storage 48-TFBGA(6x9) 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8,256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C11481KV18-400BZXC MSL CY7C11481KV18-400BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY15E016Q-SXE MSL CY15E016Q-SXE Storage 8-SOIC 管件 IC FRAM 16KBIT SPI 16MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS62LV256AL-20TLI-TR MSL IS62LV256AL-20TLI-TR Storage 28-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS2502PU-112F+T MSL DS2502PU-112F+T Storage 6-TSOC 散裝 IEEE EUI-64 NODE ADDRESS CHIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:1K x 1|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.8V ~ 6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K64M16TW-107:J TR MSL MT41K64M16TW-107:J TR Storage 96-FBGA(8x14) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT41K512M8DA-107 V:P TR MSL MT41K512M8DA-107 V:P TR Storage 78-FBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL 24LC64T-I/MC MSL 24LC64T-I/MC Storage 8-DFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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