Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL THGBMUG7C1LBAIL MSL THGBMUG7C1LBAIL Storage 153-BGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL IDT71V416VS15BEGI8 MSL IDT71V416VS15BEGI8 Storage 48-CABGA(9x9) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT29C512-70JU-T MSL AT29C512-70JU-T Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 卷帶(TR) IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY14B104L-ZS20XCT MSL CY14B104L-ZS20XCT Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 24AA64XT/ST MSL 24AA64XT/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C MSL MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C Storage 90-VFBGA(8x13) 散裝 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL STK14CA8-NF25I MSL STK14CA8-NF25I Storage 32-SOIC 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25LE16ESIGR MSL GD25LE16ESIGR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,2.4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MR1A16ACYS35R MSL MR1A16ACYS35R Storage 44-TSOP2 卷帶(TR) IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49BV1614A-70TI MSL AT49BV1614A-70TI Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields