Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS66WVR8M8FALL-104NLI MSL IS66WVR8M8FALL-104NLI Storage 8-SOIC 託盤 64MB, SERIALRAM, CONTINUOUS OPER 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 80°C(TA)
MSL MT29F4G01ABBFDWB-IT:F TR MSL MT29F4G01ABBFDWB-IT:F TR Storage 8-UPDFN(8x6)(MLP8) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:4G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1021B-12VXCT MSL CY7C1021B-12VXCT Storage 44-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43R86400F-6TL-TR MSL IS43R86400F-6TL-TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT SSTL 66TSOPII 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT28C17E-20JI MSL AT28C17E-20JI Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL SST39WF1602-70-4I-MBQE MSL SST39WF1602-70-4I-MBQE Storage 48-WFBGA(6x4) 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL128SAGBHN203 MSL S25FL128SAGBHN203 Storage 24-BGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MX29GL640EHT2I-90G MSL MX29GL640EHT2I-90G Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F TR MSL MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT29F64G08CBCABH1-12:A MSL MT29F64G08CBCABH1-12:A Storage 100-VBGA(12x18) 散裝 IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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