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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR |
Storage |
60-VFBGA(8x9) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST25VF020B-80-4C-QAE-T |
Storage |
8-WSON |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY62126EV18LL-70BVXI |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28LV010-20TU-630 |
Storage |
32-TSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL SM662GEB BEST |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL AT45DB021B-SI |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL SST38VF6402-90-5I-B3KE-T |
Storage |
48-TFBGA |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25SF081B-MAHD-T |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY10E484-4DC |
Storage |
28-CDIP |
散裝 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 28CDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:4K x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:4ns|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:4.94V ~ 5.46V|工作溫度:0°C ~ 79°C(TA) |
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