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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT46V32M16CV-5B:J TR |
Storage |
60-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX29LV160DTTI-70G |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1021DV33-10ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C8M16SA-6TCN |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT25QU256ABA8E12-MAAT TR |
Storage |
24-T-PBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.8ms|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C1362C-250AJXC |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT60B1G16HD-56B:D |
Storage |
- |
託盤 |
IC DRAM 16GBIT POD VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR5|存儲容量:16Gb|記憶體組織:1G x 16|記憶體介面:POD|時鐘頻率:2.8 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:16 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY7C1011G30-10BAJXE |
Storage |
48-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 24LC014-E/ST |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL DS1345ABP-70IND |
Storage |
34-PowerCap 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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