Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT28HC64B-12SI MSL AT28HC64B-12SI Storage 28-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 71V256SA12PZG MSL 71V256SA12PZG Storage 28-TSOP 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL256LAGNFN010 MSL S25FL256LAGNFN010 Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AS4C16M16D1-5BINTR MSL AS4C16M16D1-5BINTR Storage 60-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX29GL640ELT2I-90G MSL MX29GL640ELT2I-90G Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS73PBE-20IT TR MSL NDS73PBE-20IT TR Storage 90-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT LVTTL 90FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q32FWZEIG TR MSL W25Q32FWZEIG TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS46TR16640BL-125JBLA1-TR MSL IS46TR16640BL-125JBLA1-TR Storage 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT47H128M4B6-25E:D TR MSL MT47H128M4B6-25E:D TR Storage 60-FBGA 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:128M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1563XV18-600BZXC MSL CY7C1563XV18-600BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:600 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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