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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1245KV18-400BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1361C-100AXEKJ |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
散裝 |
IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL DA28F320J5A120 |
Storage |
56-SSOP |
散裝 |
IC FLASH 32MBIT CFI 56SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PAR 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY14MB064Q2B-SXI |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DQ321-SHF-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:528 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 23K256-E/P |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL W9464G6KH-5I |
Storage |
66-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS22TF08G-JCLA1-TR |
Storage |
153-VFBGA(11.5x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25LP040E-JYLA3-TR |
Storage |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,1.2ms|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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