Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY62128BNLL-70SXET MSL CY62128BNLL-70SXET Storage 32-SOIC 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S70GL02GS11FHI010 MSL S70GL02GS11FHI010 Storage 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N256S0830HDAT2-20I MSL N256S0830HDAT2-20I Storage - 散裝 STANDARD SRAM, 32KX8, CMOS, PDSO 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT24C164-10SU-1.8 MSL AT24C164-10SU-1.8 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL FEMC004GTTE7-T13-18 MSL FEMC004GTTE7-T13-18 Storage 100-FBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 32GBIT EMMC 4.5 100FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:eMMC_4.5|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL CY7C1347G-166AXCKJ MSL CY7C1347G-166AXCKJ Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL064LABMFV010 MSL S25FL064LABMFV010 Storage 8-SOIC 託盤 FLASH - NOR MEMORY IC 64MB (8M X 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 93C86CT-I/ST MSL 93C86CT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MIC WIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC01BT-I/ST MSL 24LC01BT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT62F512M32D2DS-031 AAT:B TR MSL MT62F512M32D2DS-031 AAT:B TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT PAR 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C

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