| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1347S-166BGCMG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
散裝 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M5M5256DVP-70G#BE |
Storage |
- |
散裝 |
STANDARD SRAM, 32KX8 |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL SM671PBC-BFST |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
散裝 |
IC FLASH 512GBIT UFS3.1 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:UFS3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL D5116AN9CXGXNY-U |
Storage |
- |
託盤 |
96-Ball 512Mx16 |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL SM662GXD BFSS |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 320GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:320Gb|記憶體組織:40G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1019D-10VXIKJ |
Storage |
32-SOJ |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC16BT-I/MC |
Storage |
8-DFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL R1LP5256ESP-5SI#S1 |
Storage |
28-SOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49LV040-12TI |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS43TR16512B-107MBL |
Storage |
96-TWBGA(10x14) |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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