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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 93AA66-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25HL512TDPBHV010 |
Storage |
24-BGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S25HL02GTDPBHM053 |
Storage |
24-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS42S32800L-6BL |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL FT24C32A-USR-T |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:800 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:700 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CY14B102NS-BA45XC |
Storage |
48-FBGA(6x10) |
散裝 |
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS4C1G8D3LA-12BINTR |
Storage |
78-FBGA(9x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL W25X16VSFIG |
Storage |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI 79MHZ 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1425KV18-250BZI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1418KV18-333BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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