| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 7143SA55J |
Storage |
68-PLCC(24.21x24.21) |
管件 |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FS064SAGBHV020 |
Storage |
24-BGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL256S11FHIV10 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S32800J-79EBLI |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SM662PAF-BEST |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
散裝 |
IC FLASH 4TBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:4Tb|記憶體組織:512G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1470V25-167AXCT |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16400N-6TLI |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V657S10BC8 |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71T79902S85PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY62127DV30LL-55BVXIT |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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