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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT46H16M32LFCX-6:B |
Storage |
90-VFBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25DF021-MHF-Y |
Storage |
8-UDFN(5x6) |
託盤 |
IC FLASH 2MBIT SPI 50MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL M25PE20-VMP6TG TR |
Storage |
8-VDFPN(6x5)(MLP8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 79MHZ 8VDFPN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL256P90FFIR10A |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 7024S12PF |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25160BY6-YH-T |
Storage |
8-Mini Map(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT SPI 8MINI MAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NP8P128A13TSM60E |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:PCM(PRAM)|技術:PCM(PRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯,SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:115ns|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL 71256SA12PDGI |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A |
Storage |
132-VBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M68AW128ML70ZB6 |
Storage |
48-TFBGA(7x12) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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