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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71V30S25TF |
Storage |
64-TQFP(10x10) |
託盤 |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 25LC256T-E/SM16KVAO |
Storage |
8-SOIJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL M29W640FT70ZA6F TR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41K1G4DA-107:P |
Storage |
78-FBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:1G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL M27C2001-70C6 |
Storage |
32-PLCC(13.96x11.46) |
管件 |
IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EDW2032BBBG-7A-F-D |
Storage |
170-FBGA(12x14) |
託盤 |
IC RAM 2GBIT PAR 1.79GHZ 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.65V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT29F2G08ABBEAH4:E TR |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX25UM51345GXDR00 |
Storage |
24-CSPBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI/OC 24CSPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8,512M x 1|記憶體介面:SPI - Octal I/O,DTR|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 70V7919S133BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT49H32M18FM-25:B TR |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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