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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT49LW080-33JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 8MBIT PAR 33MHZ 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MX35UF2GE4AC-Z4I |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:660µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W29N02GVSIAF TR |
Storage |
48-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT 48-TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24LC1026T-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDD36PT6-2AAT TR |
Storage |
66-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT SSTL 66TSOPII |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:SSTL_2|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 11LC161-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S32400B-6TL-TR |
Storage |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 0418A1ACLAA-42 |
Storage |
- |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 24LC04BT-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT47R128M8CF-3:H |
Storage |
60-FBGA(8x10) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.55V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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