Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL FM25C160B-GTR MSL FM25C160B-GTR Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C256M16D3C-10BCNTR MSL AS4C256M16D3C-10BCNTR Storage 96-FBGA(7.5x13.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL BR25L080FVT-WE2 MSL BR25L080FVT-WE2 Storage 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SM662PAF BFSS MSL SM662PAF BFSS Storage 153-BGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 4TBIT EMMC 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Tb|記憶體組織:512G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL BQ2022ALPR MSL BQ2022ALPR Storage TO-92-3 剪切帶(CT) IC EPROM 1KBIT SGL WIRE TO92-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Kb|記憶體組織:32 位元組 x 4 頁|記憶體介面:單線|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.65V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1021CV33-12VC MSL CY7C1021CV33-12VC Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1318SV18-250BZXC MSL CY7C1318SV18-250BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M25P80-VMN3TPB MSL M25P80-VMN3TPB Storage 8-SO 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24LC04BH-E/SN MSL 24LC04BH-E/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS42S16320D-6BL-TR MSL IS42S16320D-6BL-TR Storage 54-TW-BGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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