Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL128SAGMFA000 MSL S25FL128SAGMFA000 Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS25LP01GJ-RHLE-TR MSL IS25LP01GJ-RHLE-TR Storage - 卷帶(TR) 1GB QPI/QSPI, 24-BALL TFBGA 6X8M 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL STK20C04-WF25I MSL STK20C04-WF25I Storage 28-DIP 管件 IC NVSRAM 4KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C64M8D1-5TCN MSL AS4C64M8D1-5TCN Storage 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C32W-10SI MSL AT24C32W-10SI Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46V32M16BN-6:F TR MSL MT46V32M16BN-6:F TR Storage 60-FBGA(10x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR MSL MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FS256SAGMFI000 MSL S25FS256SAGMFI000 Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C57S-TE13 MSL CAT93C57S-TE13 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16,256 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25LC010AT-I/MNY MSL 25LC010AT-I/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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