Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL M95320-MN3/B MSL M95320-MN3/B Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT62F2G32D4DS-026 AIT:B TR MSL MT62F2G32D4DS-026 AIT:B TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 95°C
MSL CY7C25652KV18-400BZC MSL CY7C25652KV18-400BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EM064LXOAB320ES2T MSL EM064LXOAB320ES2T Storage 24-TBGA(6x8) 託盤 IC RAM 64MBIT XSPI 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MTFC128GASAONS-AAT TR MSL MTFC128GASAONS-AAT TR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 1TBIT UFS2.1 153TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS2.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS42S16400F-7TLI MSL IS42S16400F-7TLI Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16800D-79EBLI MSL IS42S16800D-79EBLI Storage 54-迷你型BGA(8x13) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61LF51236A-6.5B2LI-TR MSL IS61LF51236A-6.5B2LI-TR Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70T3519S133BFI8 MSL 70T3519S133BFI8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46V128M8TG-6T:A TR MSL MT46V128M8TG-6T:A TR Storage 66-TSOP 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 167MHZ 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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