Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24LC01BT-E/SN MSL 24LC01BT-E/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS25LP080D-JKLE-TR MSL IS25LP080D-JKLE-TR Storage 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL BY25Q256FSFIG(T) MSL BY25Q256FSFIG(T) Storage 16-SOP 管件 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,2.4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43TR81024BL-107MBL-TR MSL IS43TR81024BL-107MBL-TR Storage 78-TWBGA(10x14) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IDT71V416VL15BEGI8 MSL IDT71V416VL15BEGI8 Storage 48-CABGA(9x9) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC16BT-I/ST MSL 24LC16BT-I/ST Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q32JVXGIQ TR MSL W25Q32JVXGIQ TR Storage 8-XSON(4x4) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8XSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LQ32256A-062BLI-TR MSL IS43LQ32256A-062BLI-TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL M5M5V108DVP-70H#ST MSL M5M5V108DVP-70H#ST Storage - 散裝 SRAM 1M-BIT (128K X 8) 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CYDMX064B16-65BVXI MSL CYDMX064B16-65BVXI Storage 100-VFBGA(6x6) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,MoBL|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:65ns|訪問時間:65 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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