Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT62F2G64D8EK-023 WT:C MSL MT62F2G64D8EK-023 WT:C Storage 441-TFBGA(14x14) IC DRAM 128GBIT PAR 441TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:2G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-25°C ~ 85°C
MSL CY7C1911JV18-300BZC MSL CY7C1911JV18-300BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GD25F128FF2RR MSL GD25F128FF2RR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 47C16T-I/SN MSL 47C16T-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EERAM|技術:EEPROM,SRAM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25160AY1-10YI-1.8 MSL AT25160AY1-10YI-1.8 Storage 8-MAP(3x4.9) 管件 IC EEPROM 16KBIT SPI 20MHZ 8MAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93LC46BX-I/SN MSL 93LC46BX-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL512T13TFNV23 MSL S29GL512T13TFNV23 Storage 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S29GL512T13TFNV20 MSL S29GL512T13TFNV20 Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT27C256R-55TI MSL AT27C256R-55TI Storage 28-TSOP 託盤 IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL DS1230AB-200IND MSL DS1230AB-200IND Storage 28-EDIP 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200ns|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields