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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT62F2G64D8EK-023 WT:C |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
盒 |
IC DRAM 128GBIT PAR 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:2G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1911JV18-300BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GD25F128FF2RR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 47C16T-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EERAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EERAM|技術:EEPROM,SRAM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25160AY1-10YI-1.8 |
Storage |
8-MAP(3x4.9) |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT SPI 20MHZ 8MAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC46BX-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL512T13TFNV23 |
Storage |
56-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S29GL512T13TFNV20 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT27C256R-55TI |
Storage |
28-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL DS1230AB-200IND |
Storage |
28-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200ns|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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