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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L |
Storage |
54-VFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 25LC256-E/SM16KVAO |
Storage |
8-SOIJ |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MTFC4GACAECN-1M WT |
Storage |
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散裝 |
IC FLASH 32GBIT MMC WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F1G64D4ZX-023 WT:C TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT LVSTL 496UFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT40A2G8VA-062E:B TR |
Storage |
78-FBGA(10x11) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:4G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL SM671PBD-BFSS |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
散裝 |
IC FLASH 320GBIT UFS3.1 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:320Gb|記憶體組織:40G x 8|記憶體介面:UFS3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL IDT71V3559S85PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C TR |
Storage |
556-WFBGA(12.4x12.4) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 48GBIT PAR 556WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MTFC8GAMALHT-AIT TR |
Storage |
100-VBGA(18x14) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64GBIT MMC 100VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL UPD43256BGU-70LL-E2-A |
Storage |
28-SOP |
散裝 |
STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 單端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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