Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MTFC32GJDDQ-4M IT MSL MTFC32GJDDQ-4M IT Storage 100-LBGA(14x18) 散裝 IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RC48F4400P0VB0E3 MSL RC48F4400P0VB0E3 Storage 64-EasyBGA(8x10) 託盤 IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL NP8P128A13B1760E MSL NP8P128A13B1760E Storage 64-EasyBGA(8x10) 託盤 IC PCM 128MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:PCM(PRAM)|技術:PCM(PRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯,SPI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:115ns|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 7024S12JI8 MSL 7024S12JI8 Storage 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D MSL MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Storage 132-VBGA(12x18) 託盤 IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V19S20PFI8 MSL 70V19S20PFI8 Storage - 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT 100TQFP 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:1Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 70121L35JG MSL 70121L35JG Storage 52-PLCC(19.13x19.13) 管件 IC SRAM 18KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:18Kb|記憶體組織:2K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT41K256M16TW-107 V:P TR MSL MT41K256M16TW-107 V:P TR Storage 96-FBGA(9x14) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IS42SM32400G-79BLI-TR MSL IS42SM32400G-79BLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43LR16200C-6BL-TR MSL IS43LR16200C-6BL-TR Storage 60-TFBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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