Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS45S16400F-7TLA1 MSL IS45S16400F-7TLA1 Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL STK11C68-SF35 MSL STK11C68-SF35 Storage 28-SOIC 管件 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M29W160EB70ZS6F TR MSL M29W160EB70ZS6F TR Storage 64-FBGA(11x13) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7130L25C MSL 7130L25C Storage - 管件 IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:8Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT41K256M16TW-107 V:P MSL MT41K256M16TW-107 V:P Storage 96-FBGA(9x14) 託盤 IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL TE28F160C3BD70A MSL TE28F160C3BD70A Storage 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7008S12J8 MSL 7008S12J8 Storage 84-PLCC(29.31x29.31) 卷帶(TR) IC SRAM 512KBIT PARALLEL 84PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR MSL MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:2G x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR MSL MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL IS42VM16320D-79BLI-TR MSL IS42VM16320D-79BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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