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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR MSL MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL CY62126EV30LL-45ZSXA MSL CY62126EV30LL-45ZSXA Storage 44-TSOP II 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 24LC024H-E/MS MSL 24LC024H-E/MS Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1062AV25-10BGI MSL CY7C1062AV25-10BGI Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C15631KV18-450BZC MSL CY7C15631KV18-450BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC 165FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY62167G30-45BVXAT MSL CY62167G30-45BVXAT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V416S15BEGI MSL 71V416S15BEGI Storage 48-CABGA(9x9) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W9425G6KH-5I TR MSL W9425G6KH-5I TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS46TR81024BL-125KBLA1 MSL IS46TR81024BL-125KBLA1 Storage 78-TWBGA(10x14) 散裝 IC DRAM 8GBIT PAR 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT29F8G08ABACAH4-IT:C MSL MT29F8G08ABACAH4-IT:C Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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