Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL TC58NVG2S0HBAI6 MSL TC58NVG2S0HBAI6 Storage 67-VFBGA(6.5x8) 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62158EV30LL-45ZSXI MSL CY62158EV30LL-45ZSXI Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C64AW-10SU-1.8 MSL AT24C64AW-10SU-1.8 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT34C02HU4I-GTK MSL CAT34C02HU4I-GTK Storage - 散裝 CAT34C02 - 2-KBIT I2C SERIAL EEP 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CAT24C21WGI-T3 MSL CAT24C21WGI-T3 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:1 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MTFC16GJGDQ-AIT Z TR MSL MTFC16GJGDQ-AIT Z TR Storage 100-LBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR25010N-10SU-1.8 MSL BR25010N-10SU-1.8 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K1G8TRF-125:E TR MSL MT41K1G8TRF-125:E TR Storage 78-FBGA(9.5x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.5 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL S29GL01GS12TFIV10 MSL S29GL01GS12TFIV10 Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT58L128L18PT-10 MSL MT58L128L18PT-10 Storage 100-TQFP(14x20.1) 散裝 IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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