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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C128M8D3LA-12BCN |
Storage |
78-FBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S27KL0641DABHB020 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT PAR 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:40 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SM662PBE-BDSS |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 640GBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:640Gb|記憶體組織:80G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL AT24C08D-UUM0B-T-894 |
Storage |
4-WLCSP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:4.5 µs|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT46H32M16LFBF-5 IT:B |
Storage |
60-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28C16E-15JI |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MTFC128GAXATEA-WT |
Storage |
153-WFBGA(11.5x13) |
盒 |
IC FLASH 1TBIT UFS3.1 153WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CY7C1911KV18-300BZCT |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7037S12PFI |
Storage |
- |
託盤 |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:-|記憶體格式:SRAM|技術:-|存儲容量:576Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL NAND08GAH0JZC5E |
Storage |
153-LFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT MMC 153LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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