| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR |
Storage |
16-SOP2 |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SOP2 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL 24LC014H-E/MS |
Storage |
8-MSOP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL AT49BV321-90CI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL MTFC32GAPALGT-S1 AAT |
Storage |
153-WFBGA(11.5x13) |
盒 |
IC FLASH 256GBIT MMC 153WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL MR2A16AYS35R |
Storage |
44-TSOP2 |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL 27128A-20/B |
Storage |
- |
散裝 |
27128 EPROM |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|
 |
MSL CY7C109D-10ZXIT |
Storage |
32-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS46TR81024B-125KBLA1 |
Storage |
78-TWBGA(10x14) |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT PAR 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
|
 |
MSL SST39SF010A-70-4I-WHE-T |
Storage |
32-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 71V65803S150BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|