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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS41LV16105D-50TLI-TR |
Storage |
50-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - FP|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT58L64V36PT-7.5 |
Storage |
100-TQFP(14x20.1) |
散裝 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GS8182D18BGD-300I |
Storage |
165-FPBGA(15x13) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM016LXQBB313CS1R |
Storage |
24-TBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC RAM 16MBIT XSPI/QUAD 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S29GL256S11FHIV10 |
Storage |
- |
散裝 |
S29GL256S - 256-Mbit (32 Mbyte), |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S26KS128SDPBHM020 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY14B256I-SFXI |
Storage |
16-SOIC |
散裝 |
IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25LT256EYAGR |
Storage |
8-WSON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IS63WV1024BLL-12JLI |
Storage |
32-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF802C-70-4C-B3KE |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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