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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M29W320DB70ZE6F TR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V3319S133BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V3319S166BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BQ4010YMA-150 |
Storage |
28-DIP 模块(18.42x37.72) |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C2165KV18-550BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V416S12Y |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT41K512M16TNA-125 M:E |
Storage |
96-FBGA(10x14) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.5 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MTFC256GBCAVTC-AAT TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2TBIT UFS |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS42S32200E-7BLI-TR |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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