Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MTFC128GAPALNA-AIT MSL MTFC128GAPALNA-AIT Storage - IC FLASH 1TBIT MMC 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 93AA86B-I/ST MSL 93AA86B-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 16KBIT MIC WIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MTFC4GLVEA-0M WT MSL MTFC4GLVEA-0M WT Storage 153-WFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 32GBIT MMC 153WFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q64JVSFJQ TR MSL W25Q64JVSFJQ TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W25Q256JWYIQ TR MSL W25Q256JWYIQ TR Storage 32-WLCSP(3.98x3.19) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI 32WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS66WV51216BLL-55BLI-TR MSL IS66WV51216BLL-55BLI-TR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39LF801C-55-4C-EKE MSL SST39LF801C-55-4C-EKE Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NMC27C64Q150 MSL NMC27C64Q150 Storage 28-CDIP 管件 IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28CDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - UV|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL128SDPBHI213 MSL S25FL128SDPBHI213 Storage 24-BGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66AP6NBHAFJ TR MSL W66AP6NBHAFJ TR Storage 100-VFBGA(10x7.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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