Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT62F2G32D4DS-026 WT:C TR MSL MT62F2G32D4DS-026 WT:C TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 315TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1470BV33-167BZXC MSL CY7C1470BV33-167BZXC Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 25LC256-E/SN16KVAO MSL 25LC256-E/SN16KVAO Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IDT71V3556S100PF8 MSL IDT71V3556S100PF8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F4G16ABAEAH4-IT:E MSL MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Storage 63-VFBGA(9x11) 散裝 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V7319S133BFI8 MSL 70V7319S133BFI8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EM064LXQADG13CS2T MSL EM064LXQADG13CS2T Storage 8-DFN(6x8) 託盤 IC RAM 64MBIT XSPI 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL W29N01HVSIAA MSL W29N01HVSIAA Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 1GBIT 48-TSOP 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL M3016316035NX0PTBR MSL M3016316035NX0PTBR Storage 54-TSOP 卷帶(TR) IC RAM 16MBIT PAR 54TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR MSL MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Storage 132-TBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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