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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AF016GEC5A-2001IX |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 153BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(pSLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL NDL46PFP-5GIT |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY14B104L-BA25XI |
Storage |
48-FBGA(6x10) |
管件 |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F8G08ABACAWP-AIT1:C |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S29GL064N90FFIS30 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
散裝 |
FLASH - NOR MEMORY IC 64MB (8M X |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V67603S133PFGI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53E768M16D1ZW-046 WT:C TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:768M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S25FL256LAGBHM030 |
Storage |
24-BGA(6x8) |
散裝 |
SERIAL FLASH, 256MB |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MX29GL512FHXFI-10Q |
Storage |
64-LFBGA,CSP(11x13) |
託盤 |
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F512M32D1DS-023 AUT:E |
Storage |
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散裝 |
IC DRAM 16GBIT TFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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