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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NDQ48PFQ-7NIT TR |
Storage |
78-FBGA(7.5x10.6) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT POD 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53E768M32D4DE-046 AAT:E TR |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 24GBIT 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT62F512M64D4EK-031 WT:B TR |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL S29GL128S10TFIV10 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
FLASH - NOR MEMORY IC 128MB (8M |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C64-10PC-1.8 |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX68GL1G0FHT2J-12G |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns,10µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S71KL512SC0BHV000 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH RAM 512MBIT PAR 24FBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,DRAM|存儲容量:512Mb(閃存),64Mb(RAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MX29GL256ELXFL-90Q |
Storage |
64-LFBGA,CSP(11x13) |
託盤 |
IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61LPS102418A-200TQLI-TR |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BY25Q80AWYIG(R) |
Storage |
8-USON(1.5x1.5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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