Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR MSL MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR Storage 132-VBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GS8342D36BGD-300I MSL GS8342D36BGD-300I Storage 165-FPBGA(15x13) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL IS41LV16100B-50KL MSL IS41LV16100B-50KL Storage 42-SOJ 管件 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - EDO|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IDT71V2556S150PF MSL IDT71V2556S150PF Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F8T08GULCEM4:C MSL MT29F8T08GULCEM4:C Storage - IC FLASH 8TBIT LBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:8Tb|記憶體組織:1T x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS61LV12816L-10TL-TR MSL IS61LV12816L-10TL-TR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61NLF102418-6.5TQ-TR MSL IS61NLF102418-6.5TQ-TR Storage 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1470BV33-167BZI MSL CY7C1470BV33-167BZI Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR MSL MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR Storage 376-WFBGA(14x14) 卷帶(TR) IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL AT24C04C-XPD-T MSL AT24C04C-XPD-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields