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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT62F1G64D8EK-031 AIT:B |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
盒 |
IC DRAM 64GBIT PAR 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 95°C |
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MSL 71V416S12YG8 |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V3599S133BF |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16400D-6BLI |
Storage |
60-迷你型BGA(6.4x10.1) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T651S15BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C25422KV18-333BZXI |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V632ZS5PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.63V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7008L20PFGI8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V65803S133PF8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NSEC00K064-IT |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC_5|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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