Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS43TR16640BL-125KBLI MSL IS43TR16640BL-125KBLI Storage 96-TWBGA(9x13) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL 7005S15J8 MSL 7005S15J8 Storage 68-PLCC(24.21x24.21) 卷帶(TR) IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL164K0XMFI010 MSL S25FL164K0XMFI010 Storage 8-SOIC 託盤 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL LE25FW056CS-A-TRM-H MSL LE25FW056CS-A-TRM-H Storage - 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:EEPROM|技術:-|存儲容量:512Kb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CAT24C16ZI-G MSL CAT24C16ZI-G Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7005S12J MSL 7005S12J Storage 68-PLCC(24.21x24.21) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7025L15PF8 MSL 7025L15PF8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MSR820AJE288-10 MSL MSR820AJE288-10 Storage 288-FCBGA(19x19) 託盤 IC SRAM 576MBIT PAR 288FCBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM,RLDRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:8M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B MSL MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B Storage 152-VBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43TR16640AL-125JBLI-TR MSL IS43TR16640AL-125JBLI-TR Storage 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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