Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL256SDPBHVC10 MSL S25FL256SDPBHVC10 Storage 24-BGA(8x6) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 71V67603S133BQGI8 MSL 71V67603S133BQGI8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1480BV25-167AXC MSL CY7C1480BV25-167AXC Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IDT71V416VS10PHG8 MSL IDT71V416VS10PHG8 Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT40A1G16KH-062E AIT:E TR MSL MT40A1G16KH-062E AIT:E TR Storage 96-FBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT POD 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:1G x 16|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL AS7C31026B-20TINTR MSL AS7C31026B-20TINTR Storage 44-TSOP2 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 7130LA20PFG MSL 7130LA20PFG Storage 64-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F2G08ABAEAH4:E TR MSL MT29F2G08ABAEAH4:E TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EDF8164A3MC-GD-F-R TR MSL EDF8164A3MC-GD-F-R TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1911KV18-300BZC MSL CY7C1911KV18-300BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields