Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS41LV16100B-50KLI MSL IS41LV16100B-50KLI Storage 42-SOJ 管件 IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - EDO|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29WS256N0SBFW012 MSL S29WS256N0SBFW012 Storage - 散裝 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR MSL MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR Storage 272-WFBGA(15x15) 卷帶(TR) IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 272WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:384M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL IS61LV12816L-10TI MSL IS61LV12816L-10TI Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1470BV33-167BZIT MSL CY7C1470BV33-167BZIT Storage 165-FBGA(15x17) 卷帶(TR) IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V321S25TF MSL 71V321S25TF Storage 64-TQFP(10x10) 託盤 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C08C-MAPD-E MSL AT24C08C-MAPD-E Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MTFC128GASAQJP-AAT TR MSL MTFC128GASAQJP-AAT TR Storage 153-VFBGA(11.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 1TBIT MMC 153TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IDT71V3557SA79BGI8 MSL IDT71V3557SA79BGI8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V3557SA85BGGI8 MSL IDT71V3557SA85BGGI8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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