| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 70V7919S133BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M29F800DT70M6 |
Storage |
44-SO |
管件 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS21ES64G-JCLI |
Storage |
153-VFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT49H32M18CFM-25:B TR |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 70V3599S166BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL GS81282Z18GB-250I |
Storage |
119-FPBGA(22x14) |
託盤 |
IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:144Mb|記憶體組織:8M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL IS43TR82560B-125KBL |
Storage |
78-TWBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR |
Storage |
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卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL 71V416S12YGI8 |
Storage |
44-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 5962-8861007ZA |
Storage |
68-PGA(29.46x29.46) |
託盤 |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) |
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