Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS34MW04G084-TLI MSL IS34MW04G084-TLI Storage 48-TSOP I 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M95256-DFMC6TG MSL M95256-DFMC6TG Storage 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1315KV18-300BZC MSL CY7C1315KV18-300BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL N25Q032A13E1241F TR MSL N25Q032A13E1241F TR Storage 24-T-PBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:8M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V546S133PF MSL 71V546S133PF Storage 100-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL FM25040B-GA MSL FM25040B-GA Storage 8-SOIC 管件 IC FRAM 4KBIT SPI 14MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:14 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL M95256-RCS6TP/K MSL M95256-RCS6TP/K Storage 8-WLCSP 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8WLCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR MSL IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS43R16800A-5TL-TR MSL IS43R16800A-5TL-TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W631GG8NB15I MSL W631GG8NB15I Storage 78-VFBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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