Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CAV25256VE-GT3 MSL CAV25256VE-GT3 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 70V28L20PFGI8 MSL 70V28L20PFGI8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V35761SA166BG MSL 71V35761SA166BG Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61QDPB42M36A-400M3LI MSL IS61QDPB42M36A-400M3LI Storage 165-LFBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QUADP|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.4 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY15V108QSN-108BKXQ MSL CY15V108QSN-108BKXQ Storage 24-FBGA(6x8) 託盤 IC FRAM 8MBIT SPI/QUAD 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.7 ns|電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 70V657S15BC8 MSL 70V657S15BC8 Storage 256-CABGA(17x17) 卷帶(TR) IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT62F3G32D8DV-023 AUT:C MSL MT62F3G32D8DV-023 AUT:C Storage 315-LFBGA(12.4x15) 託盤 IC DRAM 96GBIT LVSTL 315LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:96Gb|記憶體組織:3G x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL AT25SF161-SHD-B MSL AT25SF161-SHD-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53E256M32D2DS-046 AIT:B MSL MT53E256M32D2DS-046 AIT:B Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL W25Q32BVZPJP TR MSL W25Q32BVZPJP TR Storage 8-WSON(6x5) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

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