Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT62F512M64D4WT-031 XT:B MSL MT62F512M64D4WT-031 XT:B Storage - 託盤 IC DRAM 32GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FL132K0XMFV043 MSL S25FL132K0XMFV043 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S25HS01GTFABHM033 MSL S25HS01GTFABHM033 Storage 24-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 93LC86AT-E/OT MSL 93LC86AT-E/OT Storage SOT-23-6 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE SOT23 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL BR24L08F-WE2 MSL BR24L08F-WE2 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62256VNLL-70SNXE MSL CY62256VNLL-70SNXE Storage 28-SOIC 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G MSL MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G Storage - IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT93C56-10PC MSL AT93C56-10PC Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 2KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 71V3558SA133BQG8 MSL 71V3558SA133BQG8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S29GL064S70DHI030 MSL S29GL064S70DHI030 Storage 64-FBGA(9x9) 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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